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2020-2024年中国氮化镓(GaN) 产业供需格局预测研究分析报告
2020-01-03
  • [报告ID] 140765
  • [关键词] 氮化镓(GaN) 产业
  • [报告名称] 2020-2024年中国氮化镓(GaN) 产业供需格局预测研究分析报告
  • [交付方式] EMS特快专递 EMAIL
  • [完成日期] 2020/1/2
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报告简介

GaN 属于第三代半导体材料(又称为宽禁带半导体材料)。GaN 的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于 Si 和 GaAs,具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。目前第三代半导体材料以 SiC 和 GaN 为主。相较于 SiC,GaN 材料的优势主要是成本低,易于大规模产业化。尽管耐压能力低于 SiC 器件,但优势在于开关速度快。同时,GaN 如果配合 SiC 衬底,器件可同时适用高功率和高频率。

半导体材料的发展主要体现在三个方面:1)衬底及外延材料向大直径发展;2)材料质量和器件性能的提升;3)成本和价格的下降推动产业发展。在衬底方面,日本多家公司已在出售 2~3 英寸 GaN 衬底;在外延片方面,4~6 英寸 Si 衬底 GaN 外延片的材料已经实现量产。

在电力电子器件方面,目前 Si 衬底上 GaN 电力电子器件产品的耐压为 600V,实验室耐压已经超过 2000V,达到了市电应用要求,展现出巨大的实用潜力。

一、GaN 供给

氮化镓产业链基本包括衬底、外延片、器件制造等环节,其中硅基衬底主要供应商有德国 Siltronic、日本 Sumco、日本 Shin-Etsu 等企业,而日本的NTT-AT、比利时的 EpiGaN 和英国的 IQE 等则是硅基 GaN 外延片的主要供应商。部分厂商则在产业链上延伸,同时生产外延片及器件制造,例如 Episil、Bridg、Fujitsu 等。目前主流氮化镓生产厂家依旧集中在欧洲国家及日本等,我国企业尚未进入供给端第一梯队。下面仅简单介绍以生产外延片为主的几家主流供应商。

1、NTT-AT

NTT 尖端科技株式会社成立于 1976 年,总部位于日本。公司目前生产可用于大功率集成电路及高频率通信领域的高品质氮化镓外延片。公司氮化镓外延片因高击穿电压、低漏电流和出色的 2DEG 特性而闻名,从而被优质的半导体厂商所采用。公司 2018 财(2018 年 4 月-2019 年 3 月)实现收入 561.95 亿日元,实现净利润 24.24亿日元。

2、EpiGaN

公司成立于 2010 年,总部位于比利时东部哈瑟尔特市,是全球最大的微电子产学研中心之一 IMEC 的衍生公司。公司可提供 4、6 英寸氮化镓外延晶圆,广泛用于 5G 通讯、高效电力电子、射频功率、传感器等领域。目前公司已经率先实现了 8英寸硅基氮化镓磊晶圆工业量产,生产工艺处于行业先进水平。

3、DOWA

公司成立于 1884 年,目前面向尖端电子设备的需求进行开发,提供差异化半导体材料、导电材料及磁性材料。目前公司从事氮化镓外延片生产,通过使用专利缓冲层在氮化镓外延片上实现了高电压电阻和良好的平整度。下游主要应用于功率半导体中的逆变器和交直流变换器以及移动基站。IQE 。公司成立于 1988 年,总部位于英国卡迪夫,是全球领先的设计和制造先进的半导体外延产品的公司之一。下游市场主要为电子、汽车、航天等领域。公司 2018 年共实现营收 1.56 亿英镑。

二、需求

氮化镓作为第三代半导体材料,有更高的禁带宽度,是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,下游应用包括微波射频器件(通信基站等),电力电子器件(电源等),光电器件(LED 照明等)。

目前采用氮化镓的微波射频器件主要用于军事领域、4G/5G 通讯基站等,由于涉及军事安全,国外对高性能氮化镓器件实行对华禁运。因此,发展自主氮化镓射频功放产业,有助于打破国外垄断,实现自主可控。

得益于 GaN 可处理更高频率和更高能效的电源,相比硅组件,GaN 可以在尺寸和能耗减半的条件下输送同等的功率,从而提高功率密度,帮助客户在不增大设计空间的同时满足更高的功率要求。而大范围的 5G 网络覆盖要求运营商部署更高功率和运行频率的设备,GaN 的功率密度优势可以满足他们的需求。

据调查数据显示,截至2017年12月底中国4G宏基站数量为328万座。中国 5G 宏基站数量有望达到 500 万座,为 4G 基站数量的 1.5 倍。宏基站建设将会拉动基站端 GaN 射频器件的需求量,考虑到 5G 基站的建设周期,预计到 2023 年基站端 GaN 射频器件规模达到顶峰,达到 112.6 亿元。

由于 5G 蜂窝网络布局有一定的极限,为了满足热点地区的网络需求,在宏基站之外,还需要布臵小基站组成微蜂窝网络。由于小基站不能对宏基站造成干扰,频率较宏基站更高,以 Sub-6GHZ 为主,GaN 射频器件是很好的选择。据拓璞产业研究院援引赛迪智库测算数据,中国 5G 网络小基站需求约为宏基站的 2 倍,即需要 1000 万站小基站。按照每个小基站需要 2 个放大器,小基站建设进度落后宏基站 1 年测算,到 2024年基站端 GaN 射频器件规模达到峰值,可达 9.4 亿元。

1、电子电力器件

GaN 作为第三代半导体材料,广泛应用于功率电子器件中,根据调查数据显示,2018 年 GaN 功率器件国际市场规模中,电源设备领域占比 55%,其次是激光雷达,占比达到 26%,其他下游应用如包络跟踪、无线电源等。目前我们使用的电子及电源设备,如个人电脑适配器、音频/视频接收器和数字电视等,有着占用空间大、不美观、发热导致电量损耗等缺点,而 GaN 能够减少电源体积,同时提升效率。

不仅如此,GaN 在电源设备的应用还包括手机的快速充电及无线充电等,我们认为随着消费电子朝小型化,智能化发展,GaN 将拥有更多应用场景。

2018 年 GaN 功率电子器件国内市场规模约为 1.2亿元,尚处于应用产品发展初期,但未来市场空间有望持续拓展,在市场乐观预期下 2023年 GaN 功率电子市场规模有望达到 4.24 亿美元。

2、其他需求

GaN 和 SiC 器件进入光伏市场,将为小型系统带来更大的竞争优势,主要包括:更低的均化电力成本,提升通过租赁和电力购买协议而销售的电能利润。此外,这些器件还能改善性能和可靠性。据调查数据显示,受太阳能模组的下游需求驱动,宽禁带半导体——即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在 2020 年达到 14 亿美元。

在军用市场,GaN 射频器件需求快速增长,据调查数据显示,仅战斗机雷达对 GaN 射频功率模块的需求就将达到 7500 万只。目前,美国海军新一代干扰机吊舱及空中和导弹防御雷达(AMDR)已采用 GaN 射频功放器件替代 GaAs 器件。预测,2020 年末,GaN 射频器件市场规模将达到 7.5 亿美元,年均复合增长率 20%。


报告目录
2020-2024年中国氮化镓(GaN) 产业供需格局预测研究分析报告
[交付形式]: e-mali电子版或特快专递

http://www.reporthb.com/
第一章 氮化镓相关概述
1.1 氮化镓基本介绍
1.1.1 氮化镓基本概念
1.1.2 氮化镓形成阶段
1.1.3 氮化镓性能优势
1.1.4 氮化镓半导体作用
1.2 氮化镓材料的特性
1.2.1 结构特性
1.2.2 化学特性
1.2.3 光学特性
1.2.4 电学性质
1.2.5 磁学特性
1.3 氮化镓的制备方法
1.3.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术
1.3.2 分子束外延(MBE)技术
1.3.3 氢化物气相外延(HVPE)技术
1.3.4 悬空外延技术(Pendeo-epitaxy)
第二章 2017-2019年半导体材料行业发展综述
2.1 半导体材料相关概述
2.1.1 第一代半导体材料
2.1.2 第二代半导体材料
2.1.3 第三代半导体材料
2.1.4 半导体材料的应用
2.2 2017-2019年全球半导体材料发展状况
2.2.1 市场销售规模
2.2.2 区域分布状况
2.2.3 细分市场结构
2.2.4 市场竞争状况
2.3 2017-2019年中国半导体材料行业运行状况
2.3.1 应用环节分析
2.3.2 产业支持政策
2.3.3 市场销售规模
2.3.4 细分市场结构
2.3.5 产业转型升级
2.4 中国半导体材料行业存在的问题及发展对策
2.4.1 行业发展滞后
2.4.2 产品同质化问题
2.4.3 供应链不完善
2.4.4 行业发展建议
2.4.5 行业发展思路
2.5 半导体材料产业未来发展前景展望
2.5.1 行业发展趋势
2.5.2 行业需求分析
2.5.3 行业前景分析
第三章 2017-2019年氮化镓产业发展深度分析
3.1 氮化镓产业发展综述
3.1.1 产业链条分析
3.1.2 产业发展历程
3.1.3 产业支持政策
3.1.4 国产化将加速
3.2 2017-2019年氮化镓市场发展状况
3.2.1 氮化镓市场发展现状
3.2.2 氮化镓市场需求状况
3.2.3 氮化镓应用领域分析
3.2.4 氮化镓产业链供应商
3.2.5 氮化镓区域集聚发展
3.2.6 氮化镓器件发展瓶颈
3.3 氮化镓产业技术及研发状况
3.3.1 产业自主创新
3.3.2 产业研发进展
3.3.3 技术专利分析
第四章 2017-2019年氮化镓器件主要类型发展分析
4.1 发光二极管(LED)
4.1.1 发光二极管(LED)发展概述
4.1.2 发光二极管(LED)市场发展现状
4.1.3 发光二极管进出口数据分析
4.1.4 氮化镓基蓝绿光LED发展历程
4.1.5 氮化镓在LED领域的技术突破
4.2 场效应晶体管(FET)
4.2.1 场效应晶体管(FET)发展概述
4.2.2 GaN FET与硅FET的比较分析
4.2.3 GaN FET产品的应用情况
4.3 激光二极管(LD)
4.3.1 激光二极管(LD)发展概述
4.3.2 激光二极管(LD)背景技术
4.3.3 激光器进出口市场数据分析
4.3.4 GaN基激光器发展概况分析
4.3.5 GaN基激光器技术发展情况
4.4 二极管(Diodes)
4.4.1 二极管(Diodes)发展概述
4.4.2 二极管进出口数据分析
4.4.3 氮化镓二极管技术发展状况
4.5 射频器件(RF)
4.5.1 射频器件(RF)发展概述
4.5.2 GaN射频器件市场发展状况
4.5.3 GaN射频元件企业发展分析
4.6 太阳能电池(Solar Cells)
4.6.1 2017-2019年中国太阳能电池进出口数据分析
4.6.2 InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池发展概述
4.6.3 InGaN/GaN量子阱太阳能电池效率影响因素
4.6.4 InGaN/GaN量子阱太阳能电池效率提升工艺
4.6.5 InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池发展展望
第五章 2017-2019年氮化镓应用领域分析
5.1 氮化镓在电力电子产业的应用
5.1.1 电力电子器件产业发展意义
5.1.2 GaN应用在电力电子领域的优势
5.1.3 GaN电力电子器件产品分析
5.1.4 GaN电力电子器件分布情况
5.1.5 GaN组件商品化带来的机遇
5.1.6 电力电子器件市场未来发展方向
5.1.7 “十三五”中国电力电子发展重点
5.2 氮化镓在新能源产业的应用
5.2.1 新能源行业相关政策支持
5.2.2 新能源行业整体发展形势
5.2.3 新能源发电建设和运行情况
5.2.4 GaN大功率器件需求潜力
5.3 氮化镓在智能电网产业的应用
5.3.1 发展智能电网的重要意义
5.3.2 智能电力设备发展分析
5.3.3 智能电力设备关键技术
5.3.4 GaN大功率器件需求潜力
5.4 氮化镓在通讯设备产业的应用
5.4.1 通讯设备市场需求分析
5.4.2 通讯设备制造业运行分析
5.4.3 GaN大功率器件需求潜力
5.5 氮化镓其他领域应用分析
5.5.1 GaN在4C产业的应用
5.5.2 GaN在无线基站领域应用
5.5.3 GaN在紫外探测领域的应用
5.5.4 GaN在红外探测领域的应用
5.5.5 GaN在压力传感器中的应用
5.5.6 GaN在生物化学探测领域的应用
第六章 2017-2019年国际氮化镓产业重点企业经营状况分析
6.1 MACOM
6.1.1 企业发展概况
6.1.2 2017年企业经营状况
6.1.3 2018年企业经营状况
6.1.4 2019年企业经营状况
6.2 科沃(Qorvo)
6.2.1 企业发展概况
6.2.2 2017年企业经营状况
6.2.3 2018年企业经营状况
6.2.4 2019年企业经营状况
6.3 雷神
6.3.1 企业发展概况
6.3.2 2017年企业经营状况
6.3.3 2018年企业经营状况
6.3.4 2019年企业经营状况
6.4 恩智浦
6.4.1 企业发展概况
6.4.2 2017年企业经营状况
6.4.3 2018年企业经营状况
6.4.4 2019年企业经营状况
6.5 英飞凌
6.5.1 企业发展概况
6.5.2 2017年企业经营状况
6.5.3 2018年企业经营状况
6.5.4 2019年企业经营状况
第七章 2016-2019年中国氮化镓产业重点企业经营状况分析
7.1 苏州纳维科技有限公司
7.1.1 企业发展概况
7.1.2 企业主营业务
7.1.3 企业发展成就
7.2 苏州能讯高能半导体有限公司
7.2.1 企业发展概况
7.2.2 企业发展成就
7.2.3 企业项目进展
7.3 东莞市中镓半导体科技有限公司
7.3.1 企业发展概况
7.3.2 企业人才队伍
7.3.3 企业获得荣誉
7.3.4 公司专利技术
7.3.5 企业发展规划
7.4 三安光电股份有限公司
7.4.1 企业发展概况
7.4.2 经营效益分析
7.4.3 业务经营分析
7.4.4 财务状况分析
7.4.5 核心竞争力分析
7.4.6 公司发展战略
7.4.7 未来前景展望
7.5 杭州士兰微电子股份有限公司
7.5.1 企业发展概况
7.5.2 经营效益分析
7.5.3 业务经营分析
7.5.4 财务状况分析
7.5.5 核心竞争力分析
7.5.6 公司发展战略
7.5.7 未来前景展望
7.6 四川海特高新技术股份有限公司
7.6.1 企业发展概况
7.6.2 经营效益分析
7.6.3 业务经营分析
7.6.4 财务状况分析
7.6.5 核心竞争力分析
7.6.6 公司发展战略
7.6.7 未来前景展望
第八章 2020-2024年氮化镓产业投资分析及前景预测
8.1 氮化镓产业投资潜力分析
8.1.1 产业投资机会
8.1.2 企业并购案例
8.1.3 企业并购金额
8.1.4 投资扩产状况
8.1.5 区域投资分布
8.2 氮化镓产业发展前景展望
8.2.1 产业发展前景
8.2.2 市场应用潜力
8.2.3 市场发展机遇
8.3  2020-2024年中国氮化镓市场预测分析
8.3.1 2020-2024年中国氮化镓市场影响因素分析
8.3.2 2020-2024年中国5G基站GaN功放市场规模预测

图表目录

图表 半导体发展历程
图表 硅、砷化镓、氮化镓主要电学性质参数比较
图表 半导体材料性能比较
图表 砷化镓/氮化镓半导体的作用
图表 纤锌矿结构和闪锌矿结构两种结构的结构特性
图表 三代半导体材料常温下部分性质
图表 半导体材料的主要应用
图表 2010-2018年全球半导体材料销售额及增速
图表 2010-2018年中国半导体材料销售额及增速
图表 2018年全球半导体材料市场区域占比情况
图表 2010-2018年全球晶圆制造及封装材料市场销售规模
图表 2018年全球晶圆制造材料市场规模
图表 SiC电子电力产业的全球分布特点
图表 半导体材料主要应用于晶圆制造与封测环节
图表 半导体材料相关支持政策(一)
图表 半导体材料相关支持政策(二)
图表 半导体材料相关支持政策(三)
图表 半导体材料相关支持政策(四)
图表 2018-2022年中国半导体材料市场销售额统计情况及预测
图表 2018-2020年中国晶圆制造及封装材料市场销售规模
图表 2018年国内晶圆制造材料细分领域
图表 GaN器件产业链各环节及主要企业
图表 GaN外延用不同衬底的对比
图表 GaN器件主要产品与工艺技术
图表 GaN器件发展史
图表 国家集成电路产业发展纲要
图表 GaN器件适用于功率器件市场
图表 2018年国内第三代半导体集聚区建设进展(一)
图表 2018年国内第三代半导体集聚区建设进展(二)
图表 2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研发进展
图表 RF GaN领域主要专利权人的专利组合强度
图表 LED的生产流程
图表 LED器件按封装形式分类
图表 LED器件按应用领域分类
图表 2014-2019年国内LED产值规模分析
图表 2014-2019年国内LED室内照明市场规模及增速
图表 2017-2019年中国发光二极管进出口总额
图表 2017-2019年中国发光二极管进出口(总额)结构
图表 2017-2019年中国发光二极管贸易顺差规模
图表 GaN FET SOA曲线示例
图表 电感硬开关测试电路
图表 Transphorm汽车级GaN FET产品示意图
图表 2017-2019年中国激光器进出口总额
图表 2017-2019年中国激光器进出口(总额)结构
图表 2017-2019年中国激光器贸易顺差规模
图表 苏州纳米所研制的GaN蓝光激光器
图表 苏州纳米所研制的绿光激光器光功率-电流曲线
图表 苏州纳米所研制的绿光激光器激射光谱
图表 不同显示技术所能显示的色域范围对比图
图表 二极管结构图
图表 二极管的图形符号
图表 硅二极管典型伏安特性曲线
图表 二极管的好坏判断
图表 2017-2019年中国二极管进出口总额
图表 2017-2019年中国二极管进出口(总额)结构
图表 2017-2019年中国二极管贸易顺差规模
图表 再生长GaN二极管中的1/C2-V特性曲线
图表 器件结构图以及n-GaN漂移层中的掺杂浓度变化
图表 2017-2019年中国太阳能电池进出口总额
图表 2017-2019年中国太阳能电池进出口(总额)结构
图表 2017-2019年中国太阳能电池贸易顺差规模
图表 InGaN材料带隙对应的AM1.5太阳光谱的覆盖
图表 量子阱区域结构设计对InGaN/GaN量子阱太阳能电池特性的影响
图表 光强和温度对InGaN/GaN量子阱太阳电池性能的影响
图表 表面纳米结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池的性能特性
图表 具有反射镜结构的InGaN/GaN量子阱太阳电池特性
图表 垂直InGaN/GaN量子阱太阳能电池结构图
图表 垂直结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池的性能特性
图表 GaN晶体管性能分析
图表 2018年GaN功率半导体新产品
图表 2018年GaN功率模块新产品
图表 GaN器件应用领域及电压分布情况
图表 分布式发电、储能及转化系统
图表 电力电子在智能电网中的应用
图表 2013-2018年移动宽带(3G/4G)用户发展情况
图表 2017-2018年固定互联网宽带各接入速率用户占比情况
图表 2013-2018年互联网宽带接入端口发展情况
图表 2013-2018年移动电话基站发展情况
图表 2016-2017财年MACOM综合收益表
图表 2016-2017财年MACOM分部资料
图表 2016-2017财年MACOM收入分地区资料
图表 2017-2018财年MACOM综合收益表
图表 2017-2018财年MACOM分部资料
图表 2017-2018财年MACOM收入分地区资料
图表 2018-2019财年MACOM综合收益表
图表 2018-2019财年MACOM分部资料
图表 2018-2019财年MACOM收入分地区资料
图表 2016-2017财年科沃综合收益表
图表 2016-2017财年科沃分部资料
图表 2017-2018财年科沃综合收益表
图表 2017-2018财年科沃分部资料
图表 2018-2019财年科沃综合收益表
图表 2018-2019财年科沃分部资料
图表 2018-2019财年科沃收入分地区资料
图表 2016-2017年雷神综合收益表
图表 2016-2017年雷神分部资料
图表 2016-2017年雷神收入分地区资料
图表 2017-2018年雷神综合收益表
图表 2017-2018年雷神分部资料
图表 2017-2018年雷神收入分地区资料
图表 2018-2019年雷神综合收益表
图表 2018-2019年雷神分部资料
图表 2018-2019年雷神收入分地区资料
图表 2016-2017财年恩智浦综合收益表
图表 2016-2017财年恩智浦分部资料
图表 2016-2017财年恩智浦收入分地区资料
图表 2017-2018财年恩智浦综合收益表
图表 2017-2018财年恩智浦分部资料
图表 2017-2018财年恩智浦收入分地区资料
图表 2018-2019财年恩智浦综合收益表
图表 2016-2017财年英飞凌科技公司综合收益表
图表 2016-2017财年英飞凌科技公司分部资料
图表 2016-2017财年英飞凌科技公司收入分地区资料
图表 2017-2018财年英飞凌科技公司综合收益表
图表 2017-2018财年英飞凌科技公司分部资料
图表 2017-2018财年英飞凌科技公司收入分地区资料
图表 2018-2019财年英飞凌科技公司综合收益表
图表 2018-2019财年英飞凌科技公司分部资料
图表 2018-2019财年英飞凌科技公司收入分地区资料
图表 2016-2019年三安光电股份有限公司总资产及净资产规模
图表 2016-2019年三安光电股份有限公司营业收入及增速
图表 2016-2019年三安光电股份有限公司净利润及增速
图表 2018年三安光电股份有限公司主营业务分行业
图表 2018年三安光电股份有限公司主营业务分地区
图表 2016-2019年三安光电股份有限公司营业利润及营业利润率
图表 2016-2019年三安光电股份有限公司净资产收益率
图表 2016-2019年三安光电股份有限公司短期偿债能力指标
图表 2016-2019年三安光电股份有限公司资产负债率水平
图表 2016-2019年三安光电股份有限公司运营能力指标
图表 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司总资产及净资产规模
图表 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司营业收入及增速
图表 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司净利润及增速
图表 2018年杭州士兰微电子股份有限公司主营业务分行业
图表 2018年杭州士兰微电子股份有限公司主营业务分地区
图表 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司营业利润及营业利润率
图表 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司净资产收益率
图表 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司短期偿债能力指标
图表 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司资产负债率水平
图表 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司运营能力指标
图表 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司总资产及净资产规模
图表 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司营业收入及增速
图表 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司净利润及增速
图表 2018年四川海特高新技术股份有限公司主营业务分行业
图表 2018年四川海特高新技术股份有限公司主营业务分地区
图表 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司营业利润及营业利润率
图表 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司净资产收益率
图表 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司短期偿债能力指标
图表 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司资产负债率水平
图表 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司运营能力指标
图表 2018年国际第三代半导体行业SiC和GaN领域并购情况(一)
图表 2018年国际第三代半导体行业SiC和GaN领域并购情况(二)
图表 2018年国内第三代半导体领域投资扩产详情(一)
图表 2018年国内第三代半导体领域投资扩产详情(二)
图表 2018年国内第三代半导体领域投资扩产详情(三)
图表 2015-2018年各区域项目投资分布情况
图表 2023年GaN射频市场规模预测
图表 GaN符合5G基站建设趋势
图表 2020-2024年中国5G基站GaN功放市场规模预测
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