氮化镓单晶衬底又称GaN单晶衬底，指采用氮化镓单晶材料制成的衬底。氮化镓单晶衬底属于宽禁带半导体材料，具有热导率高、能带隙宽、支持高电场强度、耐高压、功率高等优势，在电子器件、光电器件、通信系统等领域拥有广阔应用前景。
近年来，国家对氮化镓单晶衬底行业发展高度重视，已出台多项鼓励政策。2023年12月18日，国家工信部发布《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024年版）》，文件明确将氮化镓单晶衬底及外延片纳入先进半导体材料和新型显示材料目录。在此背景下，我国氮化镓单晶衬底行业发展速度将不断加快。
氮化镓单晶衬底在众多领域拥有广阔应用前景，包括电子器件、光电器件、通信系统等。在通信系统领域，采用氮化镓单晶衬底制成的氮化镓器件，可用于5G通信基站中，能有效提升基站的通信信号处理能力以及输出功率。据国家工信部统计数据显示，2023年我国5G基站总数达337.7万个，5G网络接入流量占比达47%。未来伴随5G网络覆盖范围不断扩展，我国氮化镓单晶衬底市场需求有望增长。
全球氮化镓单晶衬底主要生产商包括日本三菱化学公司（MCC）、日本信越化学工业株式会社（Shin-Etsu）、日本住友电气工业株式会社（Sumitomo Electric）、美国Kyma公司等，其中住友电工占据全球市场近八成份额。在本土市场方面，我国氮化镓单晶衬底行业起步较晚，但发展势头迅猛，已有多家企业布局其研发及生产赛道，包括苏州纳维科技有限公司、东莞中镓半导体科技有限公司、镓特半导体科技（上海）有限公司等。
纳维科技为我国最早进入氮化镓单晶衬底行业的企业之一，拥有2英寸、4英寸以及6英寸氮化镓单晶衬底量产能力。目前纳维科技氮化镓单晶衬底及外延片年产能已达到5万片，位居我国行业领先。预计未来一段时间，伴随本土企业持续发力，我国高性能氮化镓单晶衬底产能将进一步扩张。
氮化镓单晶衬底作为高性能半导体材料，在众多领域需求旺盛，未来伴随5G通信技术不断进步，其行业景气度将有所提升。受益于国家政策支持以及本土企业持续发力，我国氮化镓单晶衬底行业发展速度不断加快。预计未来一段时间，具备高性能氮化镓单晶衬底量产能力的企业将占据我国市场更大空间。