碲锌镉晶体属于宽禁带II-VI族化合物半导体，是第三代前沿战略性的半导体材料，是当前国内外制造室温中红外探测、X射线探测、γ射线探测、核辐射及高能射线探测器等最为先进、优异的材料。
　　目前，国际上从事碲锌镉单晶生长与衬底制备研究的单位主要有土耳其Aselsan、英国Kromek、法国Sofradir公司、法国CEA-LETI联合实验室等。国内从事碲锌镉单晶生长与衬底制备研究的单位除中国科学院上海技术物理研究所以外，主要还有常州光电技术研究所和昆明物理研究所，采用的单晶生长方法主要是垂直布里奇曼法，生长的晶体直径主要有50 mm、60 mm、90mm等几种规格，常规使用的衬底主要有20×20mm2、20×25mm2、20×30mm2、30×40mm2、40×40mm2等规格，典型EPD在5～15×104cm2之间。
　　2022年1月，经中国科学院半导体研究所检测，安徽承禹半导体材料科技有限公司碲锌镉单晶棒及晶片在红外透过率等综合参数性能、产品良率、晶棒及晶片尺寸规格，尤其是3英寸的全单晶圆片等几项关键指标方面，均处于国内领先水平。目前中国不仅打破了国外对碲锌镉晶体材料的技术与产品双封锁，还发展成为国际上少数几个能生产制造碲锌镉晶体材料的国家，且已实现碲锌镉晶体材料纯企业化、大规模化量产。
　　随着中国军事、医疗、安防、安检、工业探测等领域的发展，中国碲锌镉晶体材料需求量持续增长，尤其是医疗、安防等民用领域需求的增长，成为中国碲锌镉晶体材料需求增长的主要驱动力。2022年，中国碲锌镉晶体材料需求量约为15千片。
    碲锌镉晶体材料属于高端材料领域，其研发涉及物理、化学、材料等多个学科领域，技术难度相对较大。即便产品及技术研发成功，如果要实现碲锌镉晶体材料产业化生产，还需要对生产工艺持续进行优化，以提升良品率，降低生产成本。另外，在生产线建设过程中，相关企业需要对包括设备在内的生产线进行反复调试，以达到生产要求。在业务开展的过程中，碲锌镉晶体材料企业需要根据客户要求进行定制化开发及生产，这需要雄厚的技术及人才储备。在上述环节中，均涉及到大量技术及工艺细节，如果企业在某个环节中因技术问题影响业务开展，将使企业面临较大的技术风险。