氧化物薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管，相比于非晶硅薄膜晶体管，氧化物薄膜晶体管具有开关速度高、电子迁移率高、静态功耗低、透明、低温处理等特点，应用场景更为广泛。氧化物薄膜晶体管为薄膜晶体管（TFT）细分产品，薄膜晶体管是指在基板上沉积金属电极层、半导体主动层、介电层薄膜制得的器件。
　　氧化物薄膜晶体管主要由衬底、栅极、半导体、电极等部分组成，其中半导体材料主要为金属氧化物，如氧化铟镓锌（IGZO）。根据堆叠顺序不同，氧化物薄膜晶体管分为顶栅顶接触、底栅顶接触、底栅底接触、顶栅底接触四种组合。氧化物薄膜晶体管制备方法包括溶胶-凝胶法、真空法、纳米压印法、溶液法、铝自发氧化法等，基于真空法的氧化物薄膜晶体管已实现量产。
　　氧化物薄膜晶体管在计算机显示器、平板显示屏、柔性显示器、电子纸、传感器、智能手机等领域应用广泛。氧化物薄膜晶体管是重要的半导体器件，其应用极大地推动了新一代信息显示技术、半导体电子技术的发展。
　　近年来，得益于消费电子设备市场发展，全球氧化物薄膜晶体管市场规模逐年增长，2023年达22.5亿元左右，预计2024-2028年，全球氧化物薄膜晶体管市场仍将保持增长态势，年均复合增长率将达到20.0%左右。
　　在全球范围内，氧化物薄膜晶体管市场主要分布在北美、欧洲及亚太地区，其中亚太是全球最大的氧化物薄膜晶体管市场，占比达九成以上。全球氧化物薄膜晶体管市场参与者包括京东方、韩国LG、夏普、三星电子、华映科技等。整体来看，大型企业凭借技术、规模、品牌等优势占据氧化物薄膜晶体管市场主要份额。未来随着需求升级、竞争加剧，拥有研发创新能力的企业将更具发展潜力。
    氧化物薄膜晶体管分为单极性氧化物薄膜晶体管、双极性氧化物薄膜晶体管两大类。我国氧化物薄膜晶体管相关研究单位有宁波材料所、广东省科学院半导体研究所、中国科学院微电子研究所等，随着研究深入、技术进步，新型氧化物薄膜晶体管逐渐涌入市场，行业也不断向柔性化、低功耗、高分辨率、低成本等方向发展。