按照曝光波长不同，光刻胶可分为离子束光刻胶、电子束光刻胶、X射线光刻胶、深紫外光刻胶、紫外光刻胶以及极紫外光刻胶。极紫外光刻技术是一种先进半导体光刻技术，通常采用13.4纳米波长的紫外线作为光源。极紫外光刻胶又称EUV光刻胶，具有化学稳定性好、热稳定性佳、敏感性高等优势，是一种专用于极紫外光刻技术中的光刻胶。    
  极紫外光刻胶主要应用于极紫外光刻技术中，集成电路领域为其主要需求端。受益于技术进步，我国大规模及超大规模集成电路市场占比不断提升，产品在满足本土市场需求的同时，远销海外众多国家。未来伴随下游行业发展速度加快，极紫外光刻胶市场空间将进一步扩展。
我国极紫外光刻胶行业尚处于起步阶段，以实验室研发为主，未实现商业化应用。目前，我国已布局极紫外光刻胶行业研发赛道的企业及科研单位包括中国科学院理化技术研究所、中国科学院化学研究所、九峰山实验室、大连理工大学、华中科技大学、清华大学、广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院、科华微电子等。
    2024年3月，我国华中科技大学科研团队与九峰山实验室研究人员合作，共同开发出双非离子型光酸协同增强响应技术（CAP），使用该技术制成的极紫外光刻胶具有线边缘粗糙度低、光稳定性好、分辨率高等优势，有望在半导体连续化制造过程中获得应用。未来伴随研究不断深入，我国极紫外光刻胶技术成熟度将获得进一步提升。
   虽然极紫外光刻胶应用前景广阔，但其行业发展仍面临诸多问题亟待解决。一方面，极紫外光刻胶需能够承受高能极紫外光源照射，对于灵敏度以及耐热性有极高要求，目前我国具备其自主研发及生产实力的企业数量极少；另一方面，极紫外光刻胶在制备过程中易产生大量废气，对环境造成污染。
  极紫外光刻胶作为高性能光刻胶，在先进半导体制造过程中应用较多，未来伴随下游行业发展速度加快，我国极紫外光刻胶行业景气度将有所提升。目前，我国极紫外光刻胶行业尚处于起步阶段，未来伴随研究深入、技术进步，其商用化进程将有所加快。