磷化铟晶圆是由磷化铟（InP）材料制成的半导体晶圆，使用磷化铟晶圆制造的半导体器件，具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性。其广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等，进而应用于5G通信、数据中心、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备等终端领域。
   中国磷化铟晶圆产业发展起步较晚，2017年，珠海鼎泰芯源晶体有限公司建设了年产4-5万片的2-4英寸磷化铟晶圆生产线，是我国第一条具有自主知识产权的磷化铟衬底材料生产线。随着我国磷化铟晶圆技术的不断进步和市场规模的持续扩大，国内磷化铟晶圆产业保持着非常快的发展速度。
    近年来，5G通信、数据中心、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备等产业的发展带动磷化铟晶圆的市场需求增长，行业内企业数量持续增长；再加上现有企业积极加强技术研发，扩大生产规模，推动行业供给能力提升。截止2023年，国内磷化铟晶圆产量已经接近40万片。
   目前，国内磷化铟晶圆行业仍处于成长期，国内磷化铟晶圆行业企业数量较少，且大部分企业生产规模较小，可量产的厂商主要有云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、广东先导先进材料股份有限公司、珠海鼎泰芯源晶体有限公司、中锗科技有限公司等。
   磷化铟晶圆主要是由性能优良的磷化铟晶体加工而成。但磷属于易燃化学品，铟属于有毒金属，且在多晶制备方法过程中采用高温的方法，容易出现石英管炸裂现象，对于操作人员的安全具有一定的威胁。未来几年，单晶的生长技术也将趋于高端化，生产尺寸更大、纯度更高、性能更优良的磷化铟晶圆，将是磷化铟晶圆生产技术的发展方向。
    磷化铟晶圆可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。在市场需求带动及“东数西算”等政策的持续利好下，磷化铟晶圆下游市场具备良好的发展态势，下游光模块器件、高端射频器件等需求迅增，为磷化铟晶圆需求扩增提供了支撑，未来市场发展空间广阔。