新型存储器包括相变存储器（PCM）、阻变存储器（RRAM）、磁变存储器（MRAM）、铁电存储器（FRAM）等类型。相变存储器（PCM）指利用硫族化合物或氧化物等特殊材料在不同相态之间的转换来存储数据的非易失性存储器。PCM具有快速读写速度快、功耗低、存储密度高、使用寿命长等优势，在人工智能、电子产品以及无线通信等领域拥有广阔应用前景。
相变存储器以相变材料作为存储介质，包括硫族化合物、氧化物等。锗锑碲合金（GST）拥有极佳光学性质及电学性质，是一种技术成熟度极高的硫族相变材料。目前，我国已有多家具备锗锑碲合金生产实力，这将为相变存储器行业发展奠定良好基础。
三维相变存储器（3D PCM）为PCM代表产品。3D PCM指基于三维堆叠技术，由选通单元、存储单元两部分构成的存储器，双向阈值开关为其选通单元核心组件。3D PCM能够实现数据分层存储，为极具发展前景的存储器。但目前，受原材料供应不足、生产成本高、技术壁垒高等因素限制，我国3D PCM市场占比较低。未来伴随研究深入，技术进步，3D PCM行业发展速度将进一步加快。
PCM存储速度极快，为传统FLASH存储器以及EEPROM存储器替代产品，在人工智能、电子产品以及无线通信等领域拥有广阔应用前景。近年来，在国家政策支持以及技术进步等积极因素推动下，我国人工智能行业景气度不断提升。2023年我国人工智能市场规模达到近2200亿元。在此背景下，PCM应用需求将有所增长，
 全球PCM市场主要参与者包括日本东芝株式会社（TOSHIBA）、美国英特尔公司（Intel）、美国美光公司（Micron）、韩国三星集团（SAMSUNG）等。在本土方面，与海外发达国家相比，我国PCM行业起步较晚，但发展势头迅猛，已有多家企业具备其生产实力，包括纳思达股份、时代全芯（AMT）、东芯股份等。时代全芯为我国首家拥有相变存储技术的企业，目前已具备PCM量产能力。
PCM作为新型存储器，应用前景广阔，行业发展速度不断加快。未来随着我国人工智能、5G等高新技术不断进步，PCM市场需求将进一步增长。在市场竞争方面，我国企业已具备PCM量产能力，技术水平已到达全球领先。