以第三代半导体材料的优秀代表之一而著称的碳化硅，相较于传统的硅材料，其具备了禁带宽度较宽（约为硅的3倍），热导率卓越（比硅高出4至5倍），击穿电压显著提升（达到硅的8到10倍）等诸多优势。
围绕碳化硅功率器件这一核心技术，涵盖了多种类型，如碳化硅二极管（其中最具代表性的当属肖特基势垒二极管SBD）、碳化硅晶体管（主要包括碳化硅BJT、MOSFET等）以及碳化硅功率模块等等。这些碳化硅功率器件凭借着耐高压、大电流、耐高温、高频、高功率和低损耗等诸多优异特性，在诸如电动汽车及充电桩、太阳能发电、电网建设、轨道交通以及储能等多个领域得到了广泛且深入的应用。
面对全球范围内碳化硅领域的持续投资热潮，当前，碳化硅器件市场领导者仍然由国外知名企业占据主导地位，而我国对于这一材料的需求中有近 90%仍需依靠进口来满足。尽管如此，我国在碳化硅产业链方面已经实现了较为全面细致的布局，尤其是部分行业领先企业的科技实力雄厚，他们不仅在半绝缘衬底、外延片、射频器件等领域具备量产能力，并且已经开始向市场供应大量的碳化硅器件产品。
碳化硅相较于 IGBT 具备更为优秀的性能优势，且二者在众多行业领域中可能存在并行使用的现象。本文将依据成本变动态势与晶圆尺度演进历程进行深入剖析：探讨碳化硅与 IGBT 的相对成本差异。现阶段，碳化硅电力器件因受限于技术熟稔度及生产制造工艺、衬底的优良品率以及尚未得到大规模投入运用等多种制约因素，致使其相关成本始终处于高位状态。以相同的规格指标、满足同种终端用户需求为前提，碳化硅 MOSFET 的售价比起 IGBT 要贵上 2.5-3 倍之多。然而，硅基 IGBT 技术已然相当成熟，规模化效益也已初步显现，因此成本下降的空间较为有限。伴随着上述制约碳化硅成本的诸多不利因素逐渐得以改善，我们预期其价格有望在未来几年内逐步降低。针对长续航电动汽车这一特定市场，当前碳化硅电力器件的广泛应用所带来的其他配套零部件成本的降低，或许将进一步缩窄甚至抵消选择 IGBT 所产生的价格差距。
统计数据显示，2019年中国碳化硅功率器件行业市场规模5.02亿元，2023年中国碳化硅功率器件行业市场规模12.62亿元。
根据当前市场竞争情况，全球碳化硅器件市场主要由外资主宰，代表性企业包括意法半导体、英飞凌、科锐和罗姆半导体等占据大半江山。中国本土方面，比亚迪在汽车领域采用了SiC器件，其推出的SiC三相全桥模块目前已成功应用于大批电机驱动控制器的批量装配。
预测，受中国碳化硅功率器件行业市场需求的增长，2024-2030年中国碳化硅功率器件行业市场规模平稳上升。2030年中国碳化硅功率器件行业市场规模31.96亿元。