HBM，高带宽存储器，基于3D堆栈工艺，将多个DDR芯片堆叠制造而成，是一种高性能DRAM。
　　HBM具有高速、高带宽特点，并且能耗低，封装体积正在不断缩小，特别适合应用于高带宽需求场景，主要用在CPU、GPU制造领域。现阶段，NVIDIA、AMD两大显卡厂商均已推出搭载有HBM的GPU产品，例如NVIDIA H100、AMD Instinct MI300等，期望依靠HBM来提升GPU产品性能。
　　2014年，全球首款HBM发布，发展至今，HBM产品已更新至第五代，分别是HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E，下一代产品HBM4正在加紧布局，不同代HBM产品主要是从数据传输速率、芯片容量两大方面进行升级。当前，HBM3E受关注度最高，2023年11月，NVIDIA推出新一代AI计算平台NVIDIA HGX H200，是全球首款采用HBM3e的GPU。
　　AI大模型具有深度学习能力，可以处理海量数据，完成复杂计算任务，未来可以应用在众多领域，能够对社会生产生活产生重大影响，现阶段最具代表性的产品是ChatGPT。随着AI大模型技术兴起，全球算力需求大幅增加，市场对AI芯片的算力要求不断提高，传统DRAM将逐渐无法满足需求。HBM算力强大，在AI服务器领域发展潜力大，随着AI芯片不断升级迭代，其需求量有望快速增加。
　　与传统DRAM相比，HBM成本高、售价高，近两年HBM产值增长极为迅速。2023年，全球HBM产值在DRAM总产值中的占比不足10%，预计2024年将提升到20%以上。由于技术壁垒高，HBM产能增速不及产值，预计2024年，全球HBM产能在DRAM总产能中的占比在5%左右，但将保持持续增长态势。
　　由于结构复杂、技术难度大，HBM良品率较低，仅在60%左右。同时，目前全球HBM生产商数量少，仅有SK海力士、三星、美光三家。因此HBM价格高，现阶段主要应用在高端GPU制造领域。全球HBM市场中，SK海力士份额占比最高，紧接着是三星，美光份额占比相对较小。
    HBM制备主要采用TSV（硅通孔）技术实现芯片堆叠、垂直电互联，TSV是一种3D先进封装技术。目前，我国科阳半导体可采用TSV技术提供晶圆级封装服务；中微公司可提供TSV设备；华海诚科已研制出可用于HBM封装方面的颗粒状环氧塑封料（GMC）。这为我国HBM行业发展奠定一定技术基础，但现阶段，我国尚未有HBM生产企业。