碳化硅外延片，又称SiC外延片，指在碳化硅衬底上通过CVD或MBE技术制成的一层薄层材料，其保持了衬底层的晶体结构。碳化硅外延片具有电子饱和速度快、带隙宽、热导率高、耐辐射等优势，在传感器、光电器件、电力系统、航空航天、汽车制造以及通信系统等领域应用潜力巨大。
   化学气相沉积法（CVD）以及分子束外延法（MBE）为碳化硅外延片制备方法。CVD法具有能够控制掺杂类型、成品质量好、操作灵活性高、运行成本低等优势，为碳化硅外延片主流制备方法。
    近年来，为规范市场发展，我国有关部门已制定多项碳化硅外延片相关行业标准。2024年4月，国家标准化管理委员会发布国家标准《GB/T 43885-2024 碳化硅外延片》，该项标准将于2024年11月正式实施，文件针对碳化硅外延片的分类、试验方法、技术要求进行了明确规定。未来伴随行业标准不断完善，我国高质量碳化硅外延片市场占比将不断提升。
     碳化硅外延片在传感器、光电器件、电力系统、航空航天、汽车制造以及通信系统等领域应用潜力巨大。在电力系统领域，碳化硅外延片能有效提升电力转换效率，可应用于智能电网中；在航空航天领域，其具有耐高温优势，可用于飞机控制系统以及通讯导航系统中；在汽车制造领域，其可用于制造汽车电子器件。随着应用需求日益旺盛，碳化硅外延片行业景气度不断提升。2023年全球碳化硅外延片市场规模达到近15亿美元。
     在全球市场中，日本昭和电工株式会社（Showa Denko）为全球最大碳化硅外延片生产商，具备8英寸产品大规模生产实力。在本土市场中，我国碳化硅外延片市场主要参与者包括晶睿电子、天岳先进、瀚天天成、同光股份、天科合达等。瀚天天成正在积极推进“6-8英寸碳化硅外延晶片产业化项目”建设，据其企业招股书显示，2023年1-6月，公司碳化硅外延片产能达到12万片。
    受益于第三代半导体材料行业发展速度加快，碳化硅外延片应用需求不断增长。未来伴随行业标准不断完善以及技术进步，我国碳化硅外延片产量及质量将得到进一步提高。在市场竞争方面，我国碳化硅外延片生产企业众多，瀚天天成占据市场较大份额。