碳化硅（SiC）涂层石墨基座是一种复合结构材料，由石墨基座（石墨材料作为基础承载体）、碳化硅（SiC）表面涂层组成。SiC涂层石墨基座具有耐高温、耐腐蚀、抗溶蚀、抗氧化等优异性能，特别适用于高温、磨损性、腐蚀性等极端环境中，在半导体、光电子等领域应用广泛。
　　SiC涂层石墨基座是金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备的核心关键部件及耗材，具有支撑载体、材料界面特性控制、加热单晶衬底、抗氧化保护、降低杂质污染等作用，影响着外延材料的生长质量。
　　MOCVD设备具有生长速率可控、操作简单等优势，是氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）等化合物半导体单晶衬底外延生长的关键设备。我国MOCVD设备供应商有中微公司、中晟光电、广东昭信等，近年来，随着蓝光LED产能向中国大陆转移，MOCVD设备市场需求旺盛，SiC涂层石墨基座作为其核心部件之一，市场需求空间随之扩大。
　　碳化硅（SiC）具有化学稳定性高、耐腐蚀、高热导率、热膨胀系数与石墨相近等特点，是石墨基座表面涂层的首选材料。SiC根据结构不同又称为α-SiC、β-SiC两大类，其中β-SiC耐腐蚀性更优异，在石墨基座表面涂层中应用价值更高。
　　SiC涂层石墨基座的涂层制备方法多样，包括等离子喷涂法、浆料涂覆烧结法、电泳沉积法、涂刷法、化学气相沉积法（CVD法）等。其中CVD法技术成熟，更容易实现商业化，是制备SiC涂层的理想选择。
　　SiC涂层石墨基座行业进入壁垒极高，具体体现在制造技术垄断、开发验证环节长、进入供应链难度大等方面。在国际上市场上，SiC涂层石墨基座主要供应商有荷兰Xycarb、德国Sgl Carbon（SGL）、美国MEMC、日本东洋碳素等。
　　2017年之前，我国SiC涂层石墨基座市场需求主要依赖进口，为避免半导体行业卡脖子风险，近年来，我国SiC涂层石墨基座国产替代趋势显现。我国SiC涂层石墨基座供应商有湖南德智新材料有限公司（德智新材）、深圳市志橙半导体材料有限公司、浙江六方半导体科技有限公司等。
　　SiC涂层石墨基座是MOCVD设备的核心部件和重要耗材，其国产化发展，对我国半导体产业发展具有重要意义。目前我国已实现SiC涂层石墨基座技术突破，生产规模也不断扩大，但在制造工艺水平、产品品质等方面与国际领先水平相比仍存在一定差距，未来国产SiC涂层石墨基座仍有较大提升空间。