碳化硅是第三代半导体材料代表，利用其大禁带宽度特点制成的功率器件能够更好地适应高压、高温工作环境，有效降低系统的电气尺寸和运行成本，在新能源汽车及充电、光伏、电网等领域具有极大的应用潜力。碳化硅衬底在器件成本结构中占比接近一半，其供给和价格是决定碳化硅基功率器件持续渗透和产业扩容的关键。
   相较硅基衬底，碳化硅衬底的制备不仅耗时，在生长时还需要密切控制晶体内杂质浓度及温度，防止因缺陷过度导致产品失败。同时，碳化硅硬度仅次于金刚石，且自身属于高脆性材料，在后续加工中切割磨损度较高，使得最终产出比较低；目前碳化硅衬底切割的主要方式有砂浆切割、金刚石线切割以及最新的能够降低损耗、提高加工效率的激光切割。
   2023年全球主要功率厂商均加快了碳化硅布局如产能扩张计划、长期合作协议，中国企业也正在逐步登上国际舞台：三安光电与意法半导体成立碳化硅器件制造合资公司，由此前者将单独建设和运营一座新的200毫米碳化硅衬底工厂，以满足合资企业的需求。
   未来产能扩张和降本是未来碳化硅产业发展的主线，随着产能扩张及大尺寸衬底技术的成熟，能够有效拉低衬底成本，使得碳化硅器件的应用逐步深化、扩大，并在新需求的产生中实现良性循环。预计2028年全球碳化硅衬底规模（以6英寸记）有望突破年需求有望突破300万片。