氧化镓衬底和外延环节位于功率器件的产业链上游。类比碳化硅产业链，价值集中于上游衬底和外延环节：1颗碳化硅器件的成本中，47%来自衬底，23%来自外延，衬底+外延共占70%。
随着氧化镓的成本进一步降低，衬底占比会比SiC小得多。

 氧化镓产业链
 
 氧化镓产业链格局
 

从产业链环节看，镓下游应用广泛，中国上游镓储量在全球占据绝对优势地位
目前镓在发光器件、微波通信、新型显示等领域应用广泛，未来有望在集成电路领域有较大应用前景，正成为电子工业的新粮食。如氮化镓（GaN）和铟氮化稼（InGaN）已成为 LED 成熟的技术解决方案。GaN 在手机快充、5G 通信等方面亦具有广阔应用前景。砷化镓（GaAs）作为第二代半导体材料的代表已在高频、高速、高温及抗辐照等微波器件和高速数字电路中得到重要应用。得益于迁移率高、均匀性好等优势，铟镓锌氧（IGZO）氧化物半导体近年来在大尺寸面板的应用加速渗透。此外，用IGZO 作为有源层制备的场效应晶体管（FET）在集成电路后道工序（IC-BEOL）、常关 CPU（晶体管阈值电压为正，为增强型器件）、DRAM/NAND 和 FP-GA 等各种大规模集成电路（LSI）领域有较大应用潜力。作为伴生矿产，镓在地壳中的含量为 5×10 -4%~1.5×10 -3 %，为典型的稀散元素 。据统计，当前全球镓的总储量为 23 万吨，中国以占比 8 成以上成为全球金属镓的最大生产国，主要供应美国、欧盟、日本和韩国等经济体 。