立方碳化硅，又称β-SiC，指由硅和碳组成的含立方晶系结构的化合物半导体材料。立方碳化硅具备热导率高、导电性好、耐腐蚀、带隙宽、密度低等优势，在研磨材料、电子电气、金属冶炼、涂层材料等众多领域拥有广阔应用前景。
立方碳化硅制备方法包括固相合成法、气相合成法两种。固相合成法可细分为硅与碳直接反应法、碳热还原法；气相合成法可细分为激光诱导气相法、等离子体法、化学气相沉积法（CVD）等。目前，立方碳化硅行业尚处于起步阶段，其制备方法普遍存在成品质量差、生产流程复杂等缺陷。未来伴随技术进步，立方碳化硅产量及质量有望进一步提升。
近年来，我国企业及相关科研机构不断加大对于立方碳化硅的研究，已获得多项相关专利，主要包括《一种立方碳化硅涂层的制备方法》、《一种立方碳化硅薄膜的制备方法》、《一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法》、《碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法》、《一种立方碳化硅超精油石的制备方法》等。未来随着研究深入，我国立方碳化硅行业发展速度将进一步加快。
立方碳化硅在众多领域拥有广阔应用前景，主要包括研磨材料、电子电气、金属冶炼、涂层材料等。在研磨材料领域，立方碳化硅作为研磨抛光材料，具备研磨效率高、硬度高等优势，可用于玻璃、金属以及陶瓷等材料的研磨抛光环节；在电子电气领域，其具备热学性能和电学性能，可用于制造功率半导体器件；在涂层材料领域，其可涂覆于模具、刀具以及钻头表面。
西安博尔新材料有限责任公司、北京晶格领域半导体有限公司等为我国立方碳化硅市场主要参与者。博尔新材为我国乃至全球首家具备立方碳化硅微粉工业化生产能力的企业，产品质量位居行业领先。
立方碳化硅作为一种新型化合物半导体材料，在众多领域拥有广阔应用前景。未来伴随技术进步以及市场需求逐渐释放，我国立方碳化硅行业发展速度有望加快。目前，我国企业已具备立方碳化硅批量生产实力，技术水平及产品质量在全球市场占据竞争优势。