按照导电性能不同，碳化硅衬底可分为导电型碳化硅衬底以及半绝缘型碳化硅衬底两种类型。半绝缘型碳化硅衬底，指具备高电阻率的碳化硅衬底，在室温下可表现出接近绝缘体的性质。目前，半绝缘型碳化硅衬底已在航空航天、国防军工、通信系统、数据传输以及电子器件等领域获得应用。
2023年12月，国家工信部发布《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024年版）》，文件明确将半绝缘碳化硅衬底、N型碳化硅衬底等碳化硅单晶衬底纳入先进半导体材料和新型显示材料目录。未来伴随国家政策支持，我国半绝缘型碳化硅衬底行业发展速度将进一步加快。
半绝缘型碳化硅衬底可用于制造氮化镓射频器件，产品在卫星通信、无线通信以及5G基站等通信系统领域具备巨大应用潜力。近年来，随着5G商用化进程不断加快，我国5G基站数量持续增长。据国家工信部统计数据显示，2024年1-10月，我国5G基站总数达414.1万个，每万人拥有5G基站数达29个。未来伴随下游行业景气度提升，我国半绝缘型碳化硅衬底市场空间将进一步扩展。
全球半绝缘型碳化硅衬底主要生产商包括美国科锐公司（Cree）、美国贰陆公司（II-VI Incorporated）两家，其中贰陆公司市场占比达到近40%。贰陆公司具备4至6英寸半绝缘型碳化硅衬底批量生产实力，产品已在航空航天、国防军工以及半导体设备等领域获得应用。
在本土方面，我国半绝缘型碳化硅衬底行业集中度较高，市场主要参与者包括天岳先进、烁科晶体两家。天岳先进已成为我国乃至全球半绝缘型碳化硅衬底代表企业，已自主研发出2-8英寸半绝缘型碳化硅衬底制备技术，产品质量及技术水平位居行业领先。烁科晶体专注于半导体材料以及电子元器件的研发、生产及销售，于2024年12月成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底。
受益于国家政策支持以及技术进步，我国半绝缘型碳化硅衬底行业景气度不断提升。未来伴随我国通信系统行业发展速度加快，半绝缘型碳化硅衬底应用需求将得到进一步增长。在市场竞争方面，天岳先进和烁科晶体为我国半绝缘型碳化硅衬底代表企业，占据市场较大份额。