混合集成电路（HIC），是将半导体集成工艺与薄/厚膜工艺相结合制造而成的新型IC，是在基片上成膜，将电子元器件混合组装，再封装制成。
　　混合集成电路可以将不同材料与工艺制造而成的电子元器件例如芯片、电阻、电容、电感、单片集成电路等，集成在一个基板上。为满足自动化生产与通用性需求，混合集成电路的基片通常采用标准化绝缘基片，例如矩形玻璃基片、矩形陶瓷基片，前者透明度高、机械强度高、热稳定性好、绝缘性较高，后者机械强度高、耐高温、耐腐蚀、绝缘性高、介电性能稳定。
　　混合集成电路基片成膜工艺主要采用网印烧结、真空制膜，前者膜厚度在微米级别，称为厚膜，后者膜厚度在纳米级别，称为薄膜。按照基片膜层厚度来划分，混合集成电路可以分为厚膜混合集成电路、薄膜混合集成电路两大类。
　　厚膜混合集成电路，由于膜层较厚，电子元器件可以高密度集成，能够承受较高的电压、电流，高温稳定性优良，可以应用在高温、高功率场景中；薄膜混合集成电路可形成高精度薄膜元件，电子元器件集成度较高，损耗较低，适应温度范围较宽，可以应用在高精度、高性能场景中。
　　由于将电子元器件功能集成在基片上，混合集成电路可以很大程度地消除辅助元件需求、焊接需求以及元件与元件之间的空隙，因此功能集成度、电性能、可靠性等得到提升，并且可以根据实际应用需求进行灵活设计，能够实现多种类、小批量生产，满足下游客户定制化、个性化的IC需求。
　　混合集成电路可以实现模拟电路、微波电路等，在微波电路领域，由于精度要求高，主要采用薄膜混合集成电路。微波电路工作在微波波段与毫米波波段，可以作为专用电路使用。混合集成电路可以广泛应用在计算机、通信、汽车电子、电力、仪器仪表、航空航天、军工国防等众多领域。
  2020年以来，我国混合集成电路相关技术、产品、材料等研究成果还在不断增多，相关发明专利主要有“一种键合互连结构和多芯片组件”、“一种基于金刚石氮空位色心的混合微波集成电路传感器”、“一种大功率混合半导体集成电路的SiP 3维封装和加工方法”等。