905nm激光芯片，是集成了激光器功能，可以产生905纳米波长激光光束的半导体器件。905nm激光芯片的工作原理是，电流进入半导体材料，电子受激向高能级跃迁，跃迁回低能级时，释放光子，受半导体材料能带间隙影响，光子波长为905nm，光子在谐振腔内反射、增多，形成激光。
　　905nm激光芯片主要应用在激光雷达制造中。激光雷达可以广泛应用在汽车、无人机、机器人、工业设备、安防等领域，市场增长空间大。在激光雷达发射模块中，905nm波长是主流选择，这主要是由于滤光片镀膜膜层要求较薄、良品率较高，具有性能可靠、成本较低的优点，因此905nm激光芯片需求占比高。
　　905nm激光芯片主要包括905nm VCSEL激光芯片、905nm EEL激光芯片等类型。VCSEL，垂直腔面发射激光器，激光垂直于顶面射出，具有电光转化效率高、可形成二维激光阵列、工作温度范围宽、体积小、功耗低等特点。905nm VCSEL激光芯片具有功率密度高、可扩展性强、可靠性高等优点，可以为汽车、工业等领域提供高质量激光。
　　EEL，边发射半导体激光器，激光从边缘发射，具有电光转化效率高、波长范围广、功率高等特点。905nm EEL激光芯片具有功率密度高、偏振态固定、抗干扰能力强、低温漂特性好、高温稳定性好等优点，适合远距离、高精度探测，可以应用在汽车、工业、仪器等领域。
　　我国905nm激光芯片布局企业主要有苏州长光华芯光电技术股份有限公司、深圳瑞波光电子有限公司、深圳市柠檬光子科技有限公司、武汉锐晶激光芯片技术有限公司等。例如长光华芯可以提供905nm VCSEL激光芯片与905nm EEL激光芯片；柠檬光子可以提供905nm VCSEL激光芯片。
　　随着人工智能时代到来，在工业、商业、民用等领域，激光雷达的应用场景不断拓宽，同时市场对激光雷达的精度、可靠性等要求不断提高，905nm激光芯片的性能随之需要不断提升。2024年8月，工信部发布国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2024年度项目申报指南，提出开发峰值功率≥100W，功率密度≥50kW/mm2的高功率密度905nm多节半导体激光芯片。
　　2023年，瑞波光电实现国产905nm EEL激光芯片重大技术突破，推出具备自主核心技术的新一代3J和4J的低温漂65W、135W、165W 905nm芯片系列；柠檬光子可以提供905nm 120W多结多分区VCSEL阵列，适用于汽车、工业3D传感领域。我国905nm激光芯片自主研发与生产实力正在快速增强。