原子层沉积（ALD）设备是一种薄膜沉积设备，具有大面积成膜均匀性好、膜厚控制精确等特点。
　　原子层沉积（ALD）技术是一种由化学气相沉积（CVD）演变而来的薄膜沉积工艺，原理是以气体脉冲的形式，将两种前驱体交替引入反应器，依靠真空泵抽取或惰性气体吹扫，两种前驱体之间实现隔离，前驱体分子通过吸附在样品表面发生反应生成薄膜或团簇。
　　ALD设备通常由反应腔体、前驱体供应系统（包括前驱体源瓶、喷嘴、阀门和管道）、真空系统、温度控制系统、气体净化系统、传输系统等组成，其中反应腔体是前驱体化学反应的场所，通常由耐腐蚀材料制成，如不锈钢。
　　ALD设备可用于多种材料的沉积，如氧化铝、氮化铝、氧化锌、二氧化铪、二氧化硅等，在能源、化工、集成电路、平板显示、光学器件、柔性电子、MEMS、光伏、半导体、催化剂等领域具有良好的产业化前景。
　近年来，原子级制造受到全球多个国家高度关注，ALD设备作为原子级制造技术代表，市场迎来了快速发展时期。根据国际半导体产业协会（SEMI）数据显示，2024年全球ALD设备市场规模达68亿美元美元以上，中国市场需求增速（37%）远超全球平均增长率（15%）。
　ALD设备具有较高的研发、技术壁垒，国际供应商包括应用材料（AMAT）、东京电子（TEL）、日本国际电气（KE）、荷兰先晶半导体（ASM）等。ALD设备战略价值高，在2024年美国商务部发布的《关键出口管制清单》中，ALD设备位列首批受限项目。
　目前我国ALD设备供应商包括无锡微导纳米、无锡松煜、北方华创、拓荆科技、江苏鹏举半导体等，其中无锡微导纳米是国内首家将量产型High-kALD设备应用于集成电路制造前道生产线的国产企业。近年来，随着我国企业技术突围，全球ALD设备市场格局有所变化。
　原子级制造是目前各国竞相布局的路径之一，我国工业和信息化部已将其确立为六大核心未来发展方向之一。ALD设备可以实现原子级精确控制的薄膜沉积，是原子级制造技术代表之一，随着原子级制造关注度提升，ALD设备市场空间将进一步扩大，我国作为制造大国，国产ALD设备有望率先受益。