外尔半导体碲（Te），是指半导体材料碲（Te）中存在外尔点特征，这种材料兼具半导体与外尔半金属优点，主要用来制备光电器件。
　　外尔半金属，是一种拓扑半金属，具有拓扑非平庸的能带结构，表面为开放费米弧结构，其开发与应用受到关注。将半导体优点与外尔半金属优点相结合，可实现外尔半导体，在光电器件研制领域拥有巨大发展潜力。
　　碲（Te）是半金属元素，是半导体材料，具有载流子迁移率高、光吸收特性好等优点，是一种优良的光电材料。2022年9月，北京大学孙栋教授与中国科学技术大学曾长淦教授合作，在中红外波长下对Te进行了圆偏振相关光电流的测量，为支持Te作为外尔半导体提供了有力的光学证据，成果发表于《自然•通讯》。
　　外尔半导体碲（Te）可以用来制造光电器件，进而应用在太阳能电池、光电探测器、光通信、量子计算等领域。基于半导体材料制造而成的晶体管，是现代电子电路的基础关键元件。为持续提高算力，晶体管尺寸不断缩小、单位面积密度不断提高，导致其功耗不断提升、热量释放量不断增加，进而影响其性能与可靠性。因此开发新型材料制造高性能晶体管的需求迫切，外尔半导体碲（Te）受到关注。
　　外尔半金属可以实现低能耗电子传输，利用外尔半导体碲（Te）制造晶体管，其功耗、散热量优于传统硅基芯片，可以应用在高性能量子计算机制造领域，也可以应用在能耗大、热量产生大的大型数据中心，以降低热管理成本。
　　2022年6月，香港理工大学柴扬教授团队基于外尔半导体碲（Te）薄膜制备出拓扑相变晶体管，厚度约10纳米，具有108开关比，开态电导达到39mA/μm，适用于需要高性能和低热耗散的数据中心，相关研究成果发表于《Science Advances》。
　　随着人工智能技术发展，搭载AI大模型的机械设备研发热情高，为满足智能机械设备感知物理世界的需求，视觉感知技术不可或缺，为提高视觉感知效率，仿生视觉感知芯片开发受到重视。
   2024年8月，我国工信部发布国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2024年度项目申报指南，提出开展基于半导体Te的光电器件及仿生视觉感知芯片研究，这将进一步推动我国外尔半导体碲（Te）技术与应用研究的深入。