高纯砷是指纯度不小于99.999%（5N）、99.9999%（6N）、99.99999%（7N）及以上的砷，其中7N高纯砷总杂质含量≤0.1ppm。
　　高纯砷是以工业砷为原料，经升华、氯化、精馏、氢还原等加工提纯后制成的，制备方法分为升华蒸馏法、氯化还原法、硫化还原法、铅熔池升华法、砷化氢热分解法等。砷俗称砒，是一种具有金属性的非金属元素，有灰砷、黑砷、黄砷三种同素异形体形式，全球砷资源主要集中在美国、加拿大、智利、墨西哥等国家中。
　　相比于工业砷，高纯砷具有杂质含量少、化学纯度高、物理化学性能强等特点。高纯砷可以制造激光器件、微波器件、红外线发射管等，在半导体、5G通讯、信息显示、航空航天、新能源、军事、雷达等领域发挥着重要作用。
　　高纯砷是制造砷化镓（GaAs）、砷化铟（InAs）、砷化镉、砷化锗、砷化铌等半导体材料的前驱材料。高纯砷主要用于合成砷化镓，近年来，随着半导体行业发展，砷化镓市场需求不断释放，进而带动了高纯砷市场发展。
　　在国际市场上，高纯砷生产企业包括日本古河电子、德国因普洛依莎格等。预计2025-2030年，全球高纯砷市场规模将保持增长，并于2030年达到50亿美元，在预期内，我国高纯砷市场增速将高于全球平均水平。
　　我国高纯砷生产企业包括峨眉山嘉美高纯材料有限公司、献县红星电子材料有限公司、国投金城冶金有限责任公司、广东先导微电子科技有限公司、洛宁中天利新材料有限公司等。由于砷有毒，高纯砷生产易造成环境污染，近年来，随着环保要求趋严，高纯砷企业环保压力有所增加。
　　目前全球高纯砷企业以生产6N纯度砷为主，仅有部分企业具备7N、7.5N及以上纯度高纯砷的技术能力。我国行业标准YS/T43-2011《高纯砷》处于修订中，其代替标准2024-0218T-YS《高纯砷》将于2025年发布。
    高纯砷是制备砷化镓、砷化铟等半导体材料的原料，在半导体、5G通讯、新能源等领域具有广泛应用。近年来，我国逐渐突破了高纯砷生产技术，目前已可以生产6N、7N纯度的高纯砷，但7N高纯砷生产规模较小。随着技术突破、布局企业增加，高纯砷市场竞争也在不断加剧。