SiCN陶瓷，硅碳氮陶瓷，利用聚合物前驱体转化法制备得到一种非晶态陶瓷。
　　聚合物前驱体转化法，也称聚合物转化陶瓷技术，以有机高分子聚合物为前驱体，经高温裂解制备无机陶瓷，可以制备Si3N4等二元体系陶瓷、SiCN等三元体系陶瓷、SiBCN等四元体系陶瓷。
　　传统陶瓷制备采用粉末烧结法，将陶瓷粉末成型后高温烧结得到，在制备高性能陶瓷时，其烧结温度要求高，工艺难度大。与之相比，聚合物前驱体转化法制备瓷具有温度要求低、成分结构可控、可制备复杂形状材料、产品均匀且致密等优点。
　　SiCN陶瓷制备工艺流程包括前驱体制备、前驱体交联成型、前驱体高温裂解等环节。SiCN陶瓷前驱体主要包括聚硅氮烷、聚硅碳氮亚酰胺。由于制备工艺成熟，聚硅氮烷是较为常见的SiCN陶瓷前驱体。聚合物前驱体转化法制备得到的是SiCN非晶陶瓷，在超过裂解温度的更高温度条件下，SiCN非晶陶瓷可结晶生成SiC相、Si3N4相，形成SiC/Si3N4复相陶瓷。
　　SiCN陶瓷具有优良的强度、刚度、高温稳定性、抗蠕变性、抗氧化性、耐腐蚀性，且重量轻，并具有半导体特性、压阻效应。基于半导体特性、高温稳定性，SiCN陶瓷可用于半导体产业中，用作基板材料、封装材料；基于半导体特性、温度敏感性，SiCN陶瓷可以用来制造传感器，例如温度传感器、压力传感器。
　　航空航天产业技术飞速发展，隐形飞行器制造增多，为降低雷达暴露风险，高温吸波材料需求旺盛，SiCN陶瓷在此领域拥有应用潜力，但其电导率、复介电常数较低，性能需要进一步提升。SiCN陶瓷性能优化可以采用高温热处理、添加石墨烯/碳纳米管改性、添加单质纳米铜颗粒/铪元素复合等方法。
　　我国SiCN陶瓷研究成果还在增多。2023年，中南大学团队合成了含铜单源先驱体，经交联固化以及高温热处理后制备出SiCuCN基纳米复相陶瓷，是一种低成本高温吸波新材料；2025年初，西北工业大学团队研发出一种新型聚合物转化SiHfCN高温吸波陶瓷，在航空航天等高科技领域具有广阔应用前景，研究成果发表于《无机材料学报》。
   我国SiCN陶瓷相关研究机构还有南京信息工程大学、吉林大学、厦门大学、大连理工大学、中国科学院研究生院、中国科学院长春光机所等。