隧道磁阻效应传感器简称TMR传感器，是一种利用隧道磁阻效应（TMR）的磁传感器。隧道磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜-铁磁材料中，穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。
　　磁传感器是传感器的一种，根据原理不同，磁传感器可分为基于电磁感应原理、基于霍尔效应及基于磁电阻效应的磁传感器。基于磁电阻效应的磁传感器又分为各向异性磁阻传感器（AMR传感器）、巨磁阻传感器（GMR传感器）和隧道磁阻效应传感器。隧道磁阻效应传感器具有小体积、低功耗、灵敏度高、易集成、磁阻效应大等优势，正逐渐取代传统的磁传感器。
　　隧道磁阻效应传感器综合性能优异，目前已在汽车、物联网、新能源、消费电子、工业控制、航天航空等领域实现应用，2024年，我国隧道磁阻效应传感器市场规模超10亿元。
　　隧道磁阻效应传感器技术门槛较高，在国际市场上，布局企业主要包括日本TDK、日本村田、美国Crocus、美国Coto Technology等。我国隧道磁阻效应传感器市场起步较晚，国产化程度较低，但在国家政策支持、国产替代背景下，我国也诞生出一批具有一定竞争优势的企业。
　　目前国内隧道磁阻效应传感器相关企业包括江苏多维科技有限公司（多维科技）、珠海多创科技有限公司、安徽希磁科技股份有限公司等。随着国内企业的布局，隧道磁阻效应传感器国产化进程将加快，应用也将越来越广泛。
　　多维科技是我国隧道磁阻效应传感器代表性企业，也是国内唯一隧道磁电阻传感器量产供应商，拥有国际先进的8英寸磁传感器量产晶圆产线，同时多维科技在AMR传感器路线上也有布局，磁传感器芯片和模组产品超200款。2025年3月，多维科技发布专为三模磁轴键盘设计的Z轴感应TMR线性传感器芯片TMR2617S，进一步巩固了其在磁传感技术领域的创新领导地位。
 　　隧道磁阻效应传感器是第四代磁传感技术，具有灵敏度高、磁阻效应大、易集成等优势，应用空间广阔，目前其应用主要分为电流测量、线性位置测量、角度测量三大方向。隧道磁阻效应传感器技术壁垒高，我国国产化程度较低，本土企业仍需进一步提升技术水平与创新能力。