报告简介
–产品市场规模和发展前景
–市场细分与各企业市场定位
–潜在市场容量到底有多大
–国家产业政策有何变动
–下游客户发展如何
–市场有哪些新的发展机遇
–行业整合与并购是发展大趋势
–行业预警点、机会点、增长点和盈利水平怎么样
–投资壁垒如何
–怎样确定领先或者超越对手的战术和战略
本研究报告数据主要采用国家统计数据,海关总署,问卷调查数据,商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局,部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据,企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等,价格数据主要来自于各类市场监测数据库。
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半导体照明器件的核心是发光二极管(LED),由衬底材料、发光材料、光转换材料和封装材料等组成。半导体照明产业的发展已形成以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的产业分布与竞争格局。同时,我国的半导体照明产业发展初具规模,产业链日趋完整。到2011年,我国共有LED企业约5000家。
LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底是制作LED芯片常用的三种衬底材料。我国蓝宝石衬底白光LED有很大突破,光效已达到90lm/W-100lm/W。同时,具有自主技术产权的硅衬底白光LED也已经达到90lm/W-96lm/W。
从光效上,LED照明已经达到了替代传统光源的标准,所以,LED照明市场渗透率将迅速上升。从而可以看出,由于LED应用市场的扩增,将呈现上游芯片衬底材料的需求量急速暴长的趋势。
报告目录
2012年中国LED用衬底材料市场研究报告
第一章 2011-2012年半导体照明(LED)产业概述
1.1 2011-2012年全球LED产业现状与发展
1.1.1 全球半导体照明产业发展现状
1.1.2 全球半导体照明市场基本格局
1.1.3 全球半导体照明产业重点区域及企业现状
1.2 2011-2012年中国LED产业现状与发展
1.2.1 中国LED产业发展现状
1.2.2 中国半导体照明产业快速增长
1.2.3 中国LED照明企业的发展特征
1.2.4 中国半导体照明产业的发展优势
1.3 2011-2012年中国LED市场现状
1.3.1 中国半导体照明产业的市场格局
1.3.2 中国半导体照明产业的区域分布
1.3.3 全国主要半导体产业基地及潜力点
1.4 半导体照明产业链的重要环节
1.4.1 半导体照明产业链概述
1.4.2 上游环节产业链
1.4.3 中游环节(芯片制备)产业链
1.4.4 下游环节(封装和应用)产业链
第二章 2011-2012年LED用衬底材料的相关概述
2.1 LED外延片基本概述
2.2 红黄光LED衬底
2.3 蓝绿光LED衬底
第三章 2011-2012年蓝宝石衬底
3.1 2011-2012年蓝宝石衬底的概述
3.1.1 蓝宝石衬底材料的介绍
3.1.2 外延片厂商对蓝宝石衬底的要求
3.1.3 蓝宝石生产设备的情况
3.1.4 蓝宝石晶体工艺介绍
3.2 2011-2012年蓝宝石衬底材料市场分析
3.2.1 全球蓝宝石材料市场概述
3.2.2 国内的技术现状
3.2.3 我国存在的困境分析
3.3 2011-2012年蓝宝石项目生产概况
3.3.1 原料
3.3.2 生产线设备
3.3.3 2011-2012年国内蓝宝石材料项目介绍
3.4 2011-2012年市场对蓝宝石衬底的需求分析
3.4.1 民用半导体照明领域对蓝宝石材料的需求分析
3.4.2 民用航空领域对蓝宝石衬底的需求分析
3.4.3 军工领域对蓝宝石材料的需求分析
3.4.4 其他领域对蓝宝石材料的需求分析
3.5 蓝宝石衬底材料的发展前景
3.5.1 2012年蓝宝石衬底市场发展前景
3.5.2 蓝宝石衬底材料的发展趋势
第四章 2011-2012年硅衬底产业分析
4.1 2011-2012年半导体硅材料的概述
4.1.1 半导体硅材料的电性能特点
4.1.2 半导体硅材料的制备
4.1.3 半导体硅材料的加工
4.1.4 半导体硅材料的主要性能参数
4.2 2011-2012年硅衬底LED芯片主要制造工艺的综述
4.2.1 Si衬底LED芯片的制造
4.2.2 Si衬底LED封装的技术
4.2.3 硅衬底LED芯片的测试结果
4.3 2011-2012年硅衬底上GAN基LED的研究进展
4.3.1 用硅作GaN LED衬底的优缺点
4.3.2 硅作GaN LED衬底的缓冲层技术
4.3.3 硅衬底的LED器件
第五章 2011-2012年碳化硅衬底分析
5.1 碳化硅衬底的介绍
5.1.1 碳化硅的性能及用途
5.1.2 LED碳化硅衬底的基础概要
5.2 SIC半导体材料研究的阐述
5.2.1 SiC半导体材料的结构
5.2.2 SiC半导体材料的性能
5.2.3 SiC半导体材料的制备方法
5.2.4 SiC半导体材料的应用
5.3 SIC单晶片CMP超精密加工的技术分析
5.3.1 SiC单晶片超精密加工的发展
5.3.2 SiC单晶片的CMP技术的原理
5.3.3 SiC单晶片CMP磨削材料去除速率
5.3.4 SiC单晶片CMP磨削表面质量
5.3.5 CMP的影响因素分析
5.3.6 SiC单晶片CMP抛光存在的不足
5.3.7 SiC单晶片的CMP的趋势
第六章 2011-2012年砷化镓衬底的发展
6.1 砷化镓的介绍
6.1.1 砷化镓的定义及属性
6.1.2 砷化镓材料的分类
6.2 砷化镓在光电子领域的应用
6.2.1 砷化镓在LED方面的需求市场
6.2.2 我国LED方面砷化镓的应用
6.3 2011-2012年砷化镓衬底材料的发展
6.3.1 国外砷化镓材料技术的发展
6.3.2 国内砷化镓材料技术的发展
6.3.3 国内砷化镓材料主要生产厂家的情况
6.3.4 砷化镓外延衬底市场规模预测
第七章 2011-2012年其他衬底材料分析
7.1 氧化锌
7.1.1 氧化锌的定义
7.1.2 氧化锌的物理及化学性质
7.2 氮化镓
7.2.1 氮化镓的介绍
7.2.2 GaN材料的特性
7.2.3 GaN材料的应用
7.2.4 氮化镓材料的应用前景广阔
第八章 重点企业
8.1 国外主要企业
8.1.1 京瓷(Kyocera)
8.1.2 Namiki
8.1.3 Rubicon
8.1.4 Monocrystal
8.1.5 CREE
8.2 中国台湾主要企业
8.2.1 台湾越峰电子材料股份有限公司
8.2.2 台湾中美硅晶制品股份有限公司
8.2.3 台湾合晶科技股份有限公司
8.2.4 台湾鑫晶钻科技股份有限公司
8.3 中国大陆主要企业
8.3.1 哈尔滨工大奥瑞德光电技术有限公司
8.3.2 云南省玉溪市蓝晶科技有限责任公司
8.3.3 成都聚能光学晶体有限公司
8.3.4 青岛嘉星晶电科技股份有限公司
8.3.5 爱彼斯通半导体材料有限公司
第九章 投资分析
9.1 LED照明产业最佳投资时期分析
9.2 LED行业上游投资风险分析
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