中国存储芯片产业正经历全栈技术攻坚与产能扩张双轮驱动阶段。3D NAND层数突破（200+层）、DRAM制程跃进（17nm量产）、HBM封装（2.5D/3D集成）构成技术升级主线，设备材料国产化率从不足10%提升至25%。市场需求端，智能汽车（车载存储年复合增速35%）、AI算力（HBM需求2025年达150亿美元）、信创替代（金融/政务SSD招标国产化率超70%）形成增长三角。产业链协同效应凸显，从前驱体材料（高k介质）、刻蚀设备（5nm精度）到封测（TSV/HBM）实现垂直打通。挑战集中于知识产权壁垒（DDR5专利交叉授权）、设备禁运（EUV光刻机限制）及周期波动（NAND价格年降15%）。政策层面，大基金三期2500亿元注资重点支持存储全产业链，目标2027年实现存储芯片自给率40%以上。