IGBT作为一种新型功率半导体器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，被称为电力电子行业里的“CPU”。近年来，随着国家政策的支持和国内企业技术水平的提升，其国产化进程加速推进。

一、产业链

IGBT产业链上游为原材料及设备，其中原材料为半导体材料，包括硅片、光刻胶、电子特气、封装材料、溅射靶材等，设备为半导体设备，包括光刻机、刻蚀机等；中游为IGBT芯片的设计、制造、封测过程，IGBT按照产品的封装形式分类可分为IGBT单管、IGBT模块和智能功率模块（IPM）；下游广泛应用于新能源汽车、光伏发电、消费电子、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。

IGBT产业链以上游高壁垒材料设备（12英寸硅片微变形＜0.1nm、DUV光刻套刻精度≤1.5nm）为核心支撑，中游技术纵深贯穿芯片设计（沟槽栅结构导通压降≤1.7V）、制造（背面减薄至80μm）、封装测试（IPM响应＜2μs）；下游深度赋能新能源革命——新能源汽车（电驱功率密度＞35kW/L）、光伏逆变（效率＞99%）两大场景占全球需求65%，并驱动工业控制（变频器载频＞20kHz）、轨道交通（3.3kV高压模块）智能化升级。未来发展聚焦SiC/IGBT混合集成（损耗再降50%）、车规级可靠性突破（结温＞200℃）、芯片国产替代（中芯国际12英寸IGBT线量产），亟需攻克材料纯度（电子特气≥99.9999%）、封装散热（热阻＜0.3K/W）及成本优化（8英寸线成本↓30%）等瓶颈，以满足全球碳中和背景下新能源装备年增30%的爆发需求。

二、上游分析

1.硅片

（1）市场规模

尽管目前主要半导体硅片企业均已启动扩产计划，但其预计产能长期来看仍无法完全满足芯片制造企业对半导体硅片的增量需求，叠加中长期供应安全保障考虑，国内半导体硅片行业仍将处于快速发展阶段。2019-2023年中国半导体硅片市场规模从77.10亿元增至123.30亿元，年均复合增长率达12.45%，2024年约为131亿元。2025年中国半导体硅片市场规模将达到146亿元。

（2）重点企业分析

与国际主要半导体硅片供应商相比，中国大陆半导体硅片厂商市场份额较小，技术工艺水平以及良品率控制等与国际先进水平相比仍具有显著差距。国内半导体硅片龙头企业沪硅产业、立昂微、TCL中环、中晶科技等，相关产能及业务布局情况如下图所示：

2.光刻胶

（1）市场规模

目前，全球光刻胶市场已达到百亿美元规模，市场空间广阔。我国光刻胶产业链逐步完善，且随着下游需求的逐渐扩大，光刻胶市场规模显著增长。2023年我国光刻胶市场规模约109.2亿元，2024年约增长至114.4亿元。2025年我国光刻胶市场规模可达123亿元。

（2）重点企业分析

光刻胶的应用领域主要为半导体产业、面板产业和PCB产业。从细分市场来看，在半导体光刻胶市场，由于技术含量最高，市场主要由JSR、东京应化、信越、杜邦、富士等国际巨头垄断。

3.电子特气

（1）市场规模

中国电子特气市场规模同样呈现出稳步增长的趋势。2023年中国电子特气市场规模249亿元，2024年市场规模约262.5亿元，随着集成电路和显示面板等半导体产业的快速发展，电子特气的需求将持续增长，2025年中国电子特气市场规模将达279亿元。

（2）竞争格局

中国电子特气行业形成差异化格局，核心特点有三：技术聚焦光刻气、高纯掺杂气体等高端制程突破，国产化进程在半导体制造、光伏及面板领域加速替代进口并打入全球供应链，产能布局向含氟特气全球领先和军民融合等多领域协同拓展，呈现“高端突破-国产替代-多场景支撑”的一体化发展体系。

4.刻蚀机

（1）市场规模

刻蚀机主要用来制造半导体器件、光伏电池及其他微机械等。近年来，全球刻蚀机市场规模呈增长趋势。2023年全球刻蚀机市场规模约为148.2亿美元，同比增长5.93%，2024年市场规模约为156.5亿美元。2025年全球刻蚀机市场规模将达164.8亿美元。

（2）重点企业分析

刻蚀机行业的竞争格局呈现出高度集中且竞争激烈的态势。全球范围内，以LAMResearch、AMAT和TEL为代表的国际巨头占据了市场的主导地位，它们凭借先进的技术、丰富的产品线和广泛的客户群体，在全球刻蚀机市场中占据了大部分份额。中微公司和北方华创等本土企业凭借自主研发和创新能力，逐渐在刻蚀机领域崭露头角，成为国内刻蚀机行业的领军企业。

三、中游分析

1.全球市场规模

IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一。2024年全球IGBT的市场规模约为75亿美元，较上年增长5.6%。受益于新能源汽车、风光储、工业控制等领域需求的爆发式增长， 2025年全球IGBT市场规模将达到80亿美元。

2.中国市场规模

在双碳战略驱动和人工智能浪潮下，市场对能源转换效率、设备智能化水平的要求持续提升，进而推动市场对各类半导体功率器件需求持续增加，IGBT等半导体功率器件将成为国民经济发展中不可或缺的电子元器件。2024年中国IGBT市场规模达到223.3亿元，较上年增长10.7%。2025年中国IGBT市场规模将达到244.9亿元。

3.中国产量

IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于电机节能、轨道交通、新能源汽车等领域。目前在轨道交通领域已经实现技术突破，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，我国IGBT产量快速增长。2024年中国IGBT产量达到3859万只。2025年中国IGBT产量将超过4000万只。

4.核心竞争力排行

当前行业呈现“高端突破与场景垂直化双轨并进”特征：头部企业依托车规级认证壁垒和IDM产能整合主导产业链；中游厂商聚焦绿电（光伏/储能）与工控细分领域，以定制化算法与成本控制构建差异化优势；新兴势力则通过第三代半导体融合及封装技术创新切入增量市场。核心挑战在于突破高压芯片代差与国际专利壁垒，未来竞争将加速向碳化硅基混合技术及全球化标准认证（AEC-Q/UL）维度升级。

5.重点企业分析

目前，中国IGBT相关A股上市公司主要分布在江苏省，共13家。广东省和上海市分别有9家和7家，排名第二第三。

四、下游分析

1.新能源汽车

据中国汽车工业协会数据，2025年6月，新能源汽车产销分别完成126.8万辆和132.9万辆，同比分别增长26.4%和26.7%。2025年1-6月，新能源汽车产销分别完成696.8万辆和693.7万辆，同比分别增长41.4%和40.3%。

2.光伏发电

从国内来看，我国以光伏发电为代表的新能源发展成效显著，装机规模稳居全球首位，发电量占比稳步提升，成本快速下降，已基本进入平价无补贴发展的新阶段，行业未来发展空间广阔。2024年中国光伏发电累计装机容量88666万千瓦，同比增长45.2%。2025年中国光伏发电累计装机容量有望达96050万千瓦。

3.智能电网

当前智能电网市场在政策驱动、技术创新与能源结构转型的协同作用下，加速向智能化、数字化与绿色化深度融合方向升级，核心聚焦于提升新能源消纳能力、优化能源配置效率及构建安全韧性电网体系。2023年中国智能电网市场规模约为1077.2亿元，近五年年均复合增长率达10.31%，2024年市场规模约为1160亿元。2025年中国智能电网市场规模将突破1200亿元。