芯片工艺技术临近极限，为后发者赶超提供可能，芯片国产化技术上可行。我们从国产芯片和Intel芯片的工艺演进过程来看：1）Intel芯片的工艺随着代际的更迭，其难度和花费的时间也越来越长；2）对标Intel的芯片制作工艺，国产芯片的制作工艺已呈现出加速追赶的态势，在摩尔定律逐渐失效的情况下，两者的差距有望进一步缩小，长周期客观上可能给大陆半导体产业的持续追赶带来机遇。✓硅晶片直径的变大和晶体管制程的变小：硅晶片的直径已经有4英寸扩大到12英寸，而晶体管工艺规格已经从最初的5微米缩小到5纳米，缩小了将近1000倍。

✓7nm的工艺技术几乎是大规模商业化生产的极限：在业界，当芯片工艺规格小于7nm的时候，就会出现量子隧穿效应，导致制造成本急剧提升，同时光刻机的产能瓶颈也使得7nm低制程的芯片量产变得非常困难。